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SI4866DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 17A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.6W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4866DY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 17A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.6W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- 標簽，標記 3M (TC) LABEL 4X4" BLACK ON WHITE 500/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 2200PF 500V 20% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 2.7PF 150V 0605
- DC DC Converters Bel Fuse Inc 7-DIP SMD 模塊 CONV DC/DC 3A 12V 1.8VOUT SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 154 OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8
- 陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 510PF 150V 5% 1111
- 標簽，標記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON RED 50/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 30PF 150V 1% 0605
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 158K OHM 1/10W .5% SMD 0603
- DC DC Converters Bel Fuse Inc 7-DIP SMD 模塊 CONV DC/DC 3A 3.3VDC .9-2.5V SMD
- FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8
- 陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 560PF 150V 10% 1111
- 標簽，標記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK
010-62104931、 
0755-23919407 
