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SI4850EY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4850EY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4850EY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4850EY-T1-GE3供應商

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MS27656T9B98PN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS WALL MNT W/PINS
MS310314S-2S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 4 POS POTTING W/SCKT
SI4835BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC
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SR201A102JARTR2
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SH260T-5.0-15
固定式 AlfaMag Electronics, LLC 徑向 INDUCTOR 15UH 5.0A 260KHZ THT
SFW16S-2STME1
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI SFW16S-2STME1-FFC/FPC CONN
MS310314S-2S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 4 POS POTTING W/SCKT
SQW-149-01-L-D-VS
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT 2MM 98POS DL VERT SMD
SR201A102KAAAP1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 100V 10% RADIAL
SFW18R-1STE1LF
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI CONN FPC/FFC 18POS 1MM R/A SMD
SH275-1/2
熱縮管 Daburn Electronics 徑向 HEATSHRINK BLACK 1/2IN X 200FT
MS27656T9F35P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS WALL MNT W/PINS