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SI4835DDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 15V; 功率_最大：5.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4835DDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 15V; 功率_最大：5.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4835DDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 15V; 功率_最大：5.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

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SHR-13V-S
矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 6-SMD，無引線（DFN，LCC） CONN HOUSING SH 13POS 1MM WHITE
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TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 500W 6.0V 10% SMA
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矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 54PS DL R/A GOLD
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連接器，互連器件 JAE Electronics 48-TQFP CONN PLUG 5POS W/PINS
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