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SI4830ADY-T1-E3 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SI4830ADY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOIC N
包裝：剪切帶 (CT)

SI4830ADY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

SI4830ADY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOIC N
包裝：Digi-Reel®

SI4830ADY-T1-E3供應商

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