SI4830-A20-GU詳細規(guī)格
- 類別：RF 接收器
- 描述：IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM
- 系列：-
- 制造商：Silicon Laboratories Inc
- 頻率：520kHz ~ 1.71MHz，64MHz ~ 108MHz
- 靈敏度：-
- 數(shù)據(jù)傳輸率_最大：-
- 調(diào)制或協(xié)議：AM，F(xiàn)M
- 應用：通用
- 電流_接收：-
- 數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝
- 存儲容量：-
- 天線連接器：PCB，表面貼裝
- 特點：-
- 電源電壓：2 V ~ 3.6 V
- 工作溫度：-
- 封裝/外殼：24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：24-SSOP
- 包裝：托盤
SI4830ADY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4830ADY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4830ADY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4830ADY-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
- 系列：LITTLE FOOT®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4830CDY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：LITTLE FOOT®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V
- 功率_最大：2.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 6.81K OHM 1/8W 0.1% 1206
- 固態(tài)硬盤驅(qū)動器 SanDisk SSD 2.5" UATA 24GB
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 蜂鳴器 Mallory Sonalert Products Inc BUZZ VDC 2.9KHZ CHIRP
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 237 OHM 1/2W 1% AXIAL
- TVS - 變阻器，MOV TE Connectivity 圓盤 10mm VARISTOR 750VDC 10MM 10% LEADED
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 3.48K OHM 1/4W .1% AXIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 180 OHM 1/2W 1% 1206 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 7.32K OHM 1/8W 0.1% 1206
- 蜂鳴器 Mallory Sonalert Products Inc BUZZ VAC/DC 2KHZ FAST DBL PULSE
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 24.9 OHM 1/2W 1% AXIAL
- TVS - 變阻器，MOV TE Connectivity 圓盤 10mm VARISTOR 780V 10MM STRAIGHT LEAD
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 3.57K OHM 1/4W .1% AXIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 221 OHM 1/2W 1% 1206 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 10.5K OHM 1/8W 0.1% 1206
010-62104931、 
0755-23919407 
