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SI4812BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4812BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4812BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4812BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4812BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4812BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SHIPLBL-061-50
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON GREEN 50/PK
SR151C681KAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
SI4804CDY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI7848BDP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC
SR215E154MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.15UF 50V 20% RADIAL
SHIPLBL-063-50
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YELLOW 50/PK
SQCAEM1R9CAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 1.9PF 150V 0605
SR151C681KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
SQCB9M181JAJWE
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 180PF 300V 5% 1111
SR215E224MAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 50V 20% RADIAL
SQCAEM200JAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 20PF 150V 5% 0605
SR151C681KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
SHIPLBL-065
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK
SQCB9M181JATME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 180PF 300V 5% 1111
SI7858BDP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC

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