

SI4800BDY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI4800BDY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
SI4800BDY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4800BDY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4800BDY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI4800BDY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
- PTC 可復位保險絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH PTC RESET 1.85A T/R
- TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AC,SMA TVS 400W 20V UNIDIRECT SMA
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 邏輯 - 專用邏輯 NXP Semiconductors 160-TFBGA IC BUFFER 1.8V 28BIT SOT802
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Richtek USA Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 8SOP
- TVS - 二極管 Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TVS DIODE 12V 400W 2CH BI SOT23
- 網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 390 OHM 8 RES 1206
- TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AC,SMA DIODE TVS 20V 400W BI 5% SMD
- PTC 可復位保險絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH PTC RESET 1.85A AMMO
- 邏輯 - 專用邏輯 IDT, Integrated Device Technology Inc 96-LFBGA IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 96-BGA
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Richtek USA Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 4A 8SOP
- 網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 430 OHM 8 RES 1206
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 IC REG LDO 5V .1A TO-252-3
- TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AC,SMA DIODE TVS 20V 400W BI 5% SMD