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SI4800BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

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SI4800BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4800BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4800BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4800BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

RUSBF185-2
PTC 可復(fù)位保險(xiǎn)絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH PTC RESET 1.85A T/R
SMAJ20A-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA TVS 400W 20V UNIDIRECT SMA
SI4800BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
MP4-1R-03
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
SSTUA32S865ET/G,55
邏輯 - 專用邏輯 NXP Semiconductors 160-TFBGA IC BUFFER 1.8V 28BIT SOT802
RT7263AZSP
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Richtek USA Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 8SOP
SM712-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TVS DIODE 12V 400W 2CH BI SOT23
MNR15E0RPJ391
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 390 OHM 8 RES 1206
SMAJ20CA
TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AC，SMA DIODE TVS 20V 400W BI 5% SMD
RUSBF185-AP
PTC 可復(fù)位保險(xiǎn)絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH PTC RESET 1.85A AMMO
SSTUAF32866CHLF
邏輯 - 專用邏輯 IDT, Integrated Device Technology Inc 96-LFBGA IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 96-BGA
RT7264AZSP
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Richtek USA Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 4A 8SOP
MNR15E0RPJ431
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 430 OHM 8 RES 1206
SM72238E/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 5V .1A TO-252-3
SMAJ20CA
TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AC，SMA DIODE TVS 20V 400W BI 5% SMD

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SI4800B 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

SI4800BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

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SI4800BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

SI4800B供應(yīng)商

RUSBF185-2

SMAJ20A-TP

SI4800BDY-T1-E3

MP4-1R-03

SSTUA32S865ET/G,55

RT7263AZSP

SM712-TP

MNR15E0RPJ391

SMAJ20CA

RUSBF185-AP

SSTUAF32866CHLF

RT7264AZSP

MNR15E0RPJ431

SM72238E/NOPB

SMAJ20CA