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SI4800,518詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.8nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

SI4800BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4800BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4800BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4800BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4800BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

S82Y-G03B
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTNG BRAKT BOTTOM FOR S82G-30
S82Y-VM10B
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRKT A BOTTOM 15/30/50W
SI4778DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
MIC4832YMM
PMIC - 照明，鎮流器控制器 Micrel Inc 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC DRIVER LN 220VP-P EL 8-MSOP
S3G-13
單二極管/整流器 Diodes Inc DO-214AB，SMC RECTIFIER GPP SMD 400V 3A SMC
SM6227JTR360
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引線 RES 0.36 OHM 3W 5% WW 6227
SI7790DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 40V 50A PPAK 8SOIC
SA3243
圓形 - 配件 Bulgin TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 CONN TERM INSERT 6POS PIN SCREW
S82Y-G03B
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTNG BRAKT BOTTOM FOR S82G-30
MIC49150-1.2BMM TR
PMIC - 穩壓器 - 線性 Micrel Inc 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG LDO 1.2V 1.5A 8-MSOP
S3GB-13-F
單二極管/整流器 Diodes Inc DO-214AA，SMB RECTIFIER GPP 400V 3A SMB
SM6HT27A
TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 27V UNIDIR AUTO SMB
SI7802DN-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
SA3350
圓形 - 觸點 Bulgin DO-204AC，DO-15，軸向 CONT PIN 8A CRMP 20-24AWG 1=10PC
S82Y-VM10H
配件 Omron Electronics Inc-IA Div UNDERVOLTAGE ALARM OUT WIRE CB

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