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SI4668DY-T1-E3 全國供應商、價格、PDF資料

SI4668DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：16.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1654pF @ 15V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4668DY-T1-E3供應商

SR151A680GAATR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 68PF 100V 2% RADIAL
SI4666DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
RT0805CRD07887KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 887K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SQCAEM100FAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 10PF 150V 1% 0605
RTM-2405S/H-R
DC DC Converters Recom Power - CONVERTER DC/DC 24VIN 5VOUT 2W
SI7460DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
RT0402DRD071K65L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 1.65K OHM 1/16W .5% SMD 0402
SHH818-1
配件 Grayhill Inc KEY REPLACEMENT GH561
SR151A680JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 68PF 100V 5% RADIAL
RT0805CRD078K25L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 8.25K OHM 1/8W .25% SMD 0805
RTM-2405S-R
DC DC Converters Recom Power - CONVERTER DC/DC 24VIN 5VOUT 2W
SI7463DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC
RT0402DRD071K69L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 1.69K OHM 1/16W .5% SMD 0402
SQCAEM100JAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 10PF 150V 5% 0605
SR151A681JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 100V 5% RADIAL