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SI4650DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 15V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4650DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 15V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4650DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 15V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4654DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V
- 功率_最大：5.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4654DY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V
- 功率_最大：5.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4654DY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V
- 功率_最大：5.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- 其它 Silicon Laboratories Inc IC PROSLIC DUAL FXS ANLG 48-QFN
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .156 EXTEND
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 300W 150V 5% SMA
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 93.1K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- RF 放大器 Microchip Technology 6-UFQFN 裸露焊盤 IC RF PWR AMP WLAN LNA 6-QFN
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8SOIC
- 過時/停產零件編號 Silicon Laboratories Inc 100-TQFP 裸露焊盤 BOARD EVAL W/SI3205 INTERFACE
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET DL P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 400W 15V 5% SMA
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 953 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- RF 放大器 Microchip Technology 8-XSON IC RF PWR AMP 802.11B/G/N 8XSON
- 評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS Silicon Laboratories Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） BOARD EVAL ISOLATED FOR SI3401
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引線 RES 162 OHM 3W 1% WW 6227
755-23914055 
0755-23914006 
