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SI4559ADY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A，3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4559ADY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A，3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4559ADY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A，3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4559ADY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A，3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4559ADY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A，3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4559ADY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A，3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4559ADY供應(yīng)商

SI4559ADY-T1-E3 深圳市凱睿晟科技有限公司 075582795079
SI4559ADY-T1-GE3 瀚佳科技（深圳）有限公司 0755-23915992
SI4559ADY-T1-GE3 輝華拓展 0755-82575207
SI4559ADY-T1-E3 深圳市川藍(lán)電子科技有限公司 0755-82522939
SI4559ADY-T1-GE3 深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司 0755-83200050
SI4559ADY-T1-GE3 深圳市易信優(yōu)科技有限公司 0755-23914006
SI4559ADY 北京元坤國(guó)際科技有限公司 010-62104931、
SI4559ADY-T1-GE3 深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司 0755-23902104
SI4559ADY-T1-GE3 深圳市星宇佳科技有限公司 0755-82522195
SI4559ADY-1-E3. 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
SI4559ADY-T1-GE3 深圳市鑫遠(yuǎn)鵬科技有限公司 15112667855
SI4559ADY-T1-E3 深圳市凱睿晟科技有限公司 075582795079
SI4559ADY-T1 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
SI4559ADY-T1-GE3 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
SI4559ADY-T1-GE3 深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司 755-83219286
SI4559ADY-T1-E3 深圳市科雨電子有限公司 171-4729-9698

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SQS20B1002GSLF
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SGR-8002JA-STM
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MS27656T25B29S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 29POS WALL MNT W/SCKT

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