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SI4472DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1735pF @ 50V; 功率_最大：5.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4472DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1735pF @ 50V; 功率_最大：5.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4472DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1735pF @ 50V; 功率_最大：5.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4472DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1735pF @ 50V; 功率_最大：5.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4472DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1735pF @ 50V; 功率_最大：5.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4472DY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1735pF @ 50V; 功率_最大：5.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

VJ1206Y472JBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 100V 5% X7R 1206
VI-B6K-CY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W
SI4470EY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
VI-2WF-EX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 75W
VI-RAM-C1
配件 Vicor Corporation PowerSO-10 裸露底部焊盤 VI-RAM RIPPLE ATTENUATOR MODULE
VJ0805Y473KXAAC
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 0.047UF 50V 10% X7R 0805
VJ1210Y332JBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 3300PF 630V 5% X7R 1210
SGJ.2B.308.CLLPV
連接器，互連器件 LEMO TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA COUPL.W.NUT CDG/J 8CTS
VJ1206Y472JBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 630V 5% X7R 1206
VI-2WF-EY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 50W
VI-RAM-M1
配件 Vicor Corporation PowerSO-10 裸露底部焊盤 VI-RAM RIPPLE ATTENUATOR MODULE
VJ0805Y562KXACW1BC
陶瓷 Vishay BC Components 0805（2012 公制） CAP CER 5600PF 50V 10% X7R 0805
VJ1210Y332JXGAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 3300PF 1KV 5% X7R 1210
SGL41-40/96
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AB，MELF RECTIFIER SCHOTTKY 1A40V DO213AB
VJ1206Y472KBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 100V 10% X7R 1206

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