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SI4447DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：54 毫歐 @ 4.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：805pF @ 20V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4447DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：54 毫歐 @ 4.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：805pF @ 20V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4447DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：54 毫歐 @ 4.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：805pF @ 20V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4447DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：72 毫歐 @ 4.5A，15V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：805pF @ 20V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4447DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：72 毫歐 @ 4.5A，15V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：805pF @ 20V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4447DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：72 毫歐 @ 4.5A，15V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：805pF @ 20V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SQM48T25033-NDCP
DC DC Converters Power-One DC/DC EIGHTH BRICK
SGP.1575.25.4.D.02
RF 天線 Taoglas Limited 204-SODIMM RF ANTENNA
MS3102R24-9S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 2 POS BOX MNT W/SCKT
SI4446DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
MS27656T23B35SA
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 100POS WALL MNT W/SCKT
T494U336K010AT
鉭 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 33UF 10V 10% 2312
SQP10AJB-110R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 110 OHM 10W 5% WIREWOUND
SFT1446-TL-H
FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA
SGP02N60
IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-220-3 IGBT NPT 600V 6.0A 30W TO220-3
MS27656T23B35SALC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 100POS WALL MT SCK
T494V107K006AT
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 100UF 6.3V 10% 2917
SQP10AJB-1K3
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 1.3K OHM 10W 5% METAL OXIDE
SGP1200-12G
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Power-One TO-220-3 FRONT END AC/DC 1133W 12V
SFT37S60K303B-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - QC 端子 CAP FILM 60UF 370VAC QC TERM
MS3102R28-10P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 7 POS BOX MNT W/PINS

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