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SI4435DDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 9.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 15V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4435DDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 9.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 15V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4435DDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 9.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 15V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4435DDY-T1-E3供應商

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SGABM20-AV-C300
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DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 36V 100W
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PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 STMicroelectronics 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OFFLINE CONV PWM 800V 16-SOIC
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VJ0805Y223KXBBC31
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 0.022UF 100V X7R 0805
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陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.027UF 100V 5% X7R 1210
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陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 0.039UF 100V X7R 1206