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SI4421-A0-FT詳細規格
- 類別：RF 收發器
- 描述：IC TXRX FSK 915MHZ 3.8V 16-TSSOP
- 系列：-
- 制造商：Silicon Laboratories Inc
- 頻率：433MHz，868MHz，915MHz
- 數據傳輸率_最大：256kbps
- 調制或協議：FSK
- 應用：ISM
- 功率_輸出：7dbm
- 靈敏度：-110dBm
- 電源電壓：2.2 V ~ 3.8 V
- 電流_接收：15mA
- 電流_傳輸：28mA
- 數據接口：PCB，表面貼裝
- 存儲容量：-
- 天線連接器：PCB，表面貼裝
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C
- 封裝/外殼：16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 包裝：管件
SI4421-A1-FT詳細規格
- 類別：RF 收發器
- 描述：IC TXRX FSK 915MHZ 3.8V 16-TSSOP
- 系列：-
- 制造商：Silicon Laboratories Inc
- 頻率：433MHz，868MHz，915MHz
- 數據傳輸率_最大：256kbps
- 調制或協議：FSK
- 應用：-
- 功率_輸出：7dbm
- 靈敏度：-110dBm
- 電源電壓：2.2 V ~ 3.6 V
- 電流_接收：15mA
- 電流_傳輸：28mA
- 數據接口：PCB，表面貼裝
- 存儲容量：-
- 天線連接器：PCB，表面貼裝
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C
- 封裝/外殼：16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 包裝：管件
SI4421DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.75 毫歐 @ 14A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 850µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4421DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.75 毫歐 @ 14A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 850µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4421DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.75 毫歐 @ 14A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 850µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4421DY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.75 毫歐 @ 14A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 850µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- 鉭 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 4.7UF 6.3V 20% 1507
- 鉭 Vishay Sprague 2824（7260 公制） CAP TANT 220UF 10V 10% 2824
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
- 鉭 Vishay Sprague 2824（7260 公制） CAP TANT 220UF 10V 10% 2824
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） IC OPAMP GP R-R 1.9MHZ 8-SOIC
- PMIC - LED 驅動器 STMicroelectronics 24-TSSOP（0.173"，4.40mm）裸露焊盤 IC LED DRIVER LINEAR 24-TSSOP
- 評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS STMicroelectronics BOARD EVALUATION ST1S14
- 鉭 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 4.7UF 6.3V 20% 1507
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP R-R 550KHZ 8SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC OPAMP GP R-R 210KHZ 8TSSOP
- 評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS STMicroelectronics BOARD EVAL BASED ON L6565
- PMIC - LED 驅動器 STMicroelectronics 24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC LED DRIVER LINEAR 24-QSOP
- 鉭 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 4.7UF 6.3V 20% 1507
- 鉭 Vishay Sprague 2824（7260 公制） CAP TANT 220UF 10V 10% 2824
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP R-R 550KHZ 8SOIC
0755-82575207 
0755-23914006 
