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SI4418DY-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SI4418DY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOIC N
包裝：Digi-Reel®

SI4418DY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

SI4418DY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOIC N
包裝：剪切帶 (CT)

SI4418DY-T1-GE3供應商

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