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SI4413ADY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4413ADY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4413ADY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4413ADY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4413CDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4413CDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

VI-B3T-MU-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 200W
SG-8003LB-PCB
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-TESOP（0.110"，2.80mm 寬） OSC CMOS PROG 3.3V OE SMD
SI4410DYTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
VI-B6J-IW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 100W
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陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.022UF 500V X7R 1210
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DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W
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陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 820PF 50V 10% NP0 0805
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陶瓷 Vishay BC Components 1206（3216 公制） CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 1206
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W
VIO50-12P1
IGBT IXYS ECO-PAC2 MOD IGBT DIODE SGL 1200V ECOPAC2
VJ0805Y103KXAAC
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 50V 10% X7R 0805
VJ1210Y223KXEAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.022UF 500V X7R 1210
VJ1206Y332KXEAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 3300PF 500V 10% X7R 1206

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