影视大全在线观看,日本免费一区二区三区新 ,女主特殊体质离不开男主的原因

SI4410BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4410BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4410BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4410BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4410DY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4410DY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1585pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

SI4410BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SH50S-3.0-47
固定式 AlfaMag Electronics, LLC 非標準 INDUCTOR 47UH 3.0A 50KHZ SMD
RTE0300G03
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD
SI4462DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
RT0805CRD07294KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 294K OHM 1/8W .25% SMD 0805
RT0402CRE074K32L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 4.32KOHM 1/16W .25% SMD 0402
SI7216DN-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8
SR151A271JAT
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 270PF 100V 5% RADIAL
RTE0300G03
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD
RT0805CRD072K26L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 2.26K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4463BDY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
SI7220DN-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET DL N-CH 60V PPAK 1212-8
RT0402CRE074K42L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 4.42KOHM 1/16W .25% SMD 0402
SH512S2P72
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft 徑向 SHLD MINIMIZER STR EXTENSION
RTE0300G03
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD

欧美成人一区二免费视频-欧美久久中文字幕-欧美日韩国产免费一区二区三区-欧美性群另类交