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SI4401BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4401BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4401BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4401BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4401BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4401BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

VI-JWZ-MY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W
VI-2WD-IY-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 50W
VI-B6J-IU-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 200W
SI4401BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
SG-8003CE-SCM
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC CMOS PROG 3.3V ST SMD
VI-B3T-IY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 50W
VJ0805D391KXCAJ
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 390PF 200V 10% NP0 0805
VJ1210Y223JXPAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.022UF 250V 5% X7R 1210
VI-2WD-MV
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 85V 150W
VI-JWZ-MZ
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針法蘭半磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 2V 10W
SG-8003CE-SDC
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC CMOS PROG 2.5V ST SMD
VI-B3T-IY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 50W
VJ0805D471KXBAJ
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 470PF 100V 10% NP0 0805
VJ1210Y223KBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 1210
VI-2WD-MV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 150W

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