SI4396DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.5 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1675pF @ 15V
- 功率_最大：5.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4396DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.5 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1675pF @ 15V
- 功率_最大：5.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4396DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.5 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1675pF @ 15V
- 功率_最大：5.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4396DY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.5 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1675pF @ 15V
- 功率_最大：5.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4396DY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.5 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1675pF @ 15V
- 功率_最大：5.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4396DY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.5 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1675pF @ 15V
- 功率_最大：5.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Richtek USA Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 8SOP
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 3.48KOHM 1/16W .25% SMD 0402
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 75V PPAK 8SOIC
- 傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft 徑向，Can SHIELDED DC MICRO-MIZER
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Richtek USA Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 8SOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 22.1K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 24VIN +/-12VOUT
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Richtek USA Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC REG BUCK ADJ 8A 8SOP
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 3.3UF 100V 20% RADIAL
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 24VIN +/-12VOUT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 22.0K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 3.83KOHM 1/16W .25% SMD 0402
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 80V 32A PPAK 8SOIC
075582796732 
0755-23919407 
