SI4362BDY-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 19.8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：115nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 15V
- 功率_最大：6.6W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4362BDY-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 19.8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：115nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 15V
- 功率_最大：6.6W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TRANSIL 600W 12V BIDIR SMA
- 評估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 80-LBGA BOARD EVAL FOR SI5375
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 90POS DUAL GOLD
- 陣列，信號變壓器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 150UH SMD
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TRANSIL 600W 12V BIDIR SMA
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- 陣列，信號變壓器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 22UH SMD
- 矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 90POS DUAL TIN
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TRANSIL 600W 15V UNIDIR SMA
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
- 陣列，信號變壓器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 220UH SMD
15026993318 / 
0755-23914006 
