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SI4362-B0B-FM詳細規格: 類別：RF 接收器; 描述：RECEIVER RF EZRADIO PRO 20QFN; 系列：EZRadioPRO®; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 頻率：142MHz ~ 1.05GHz; 靈敏度：-124dBm; 數據傳輸率_最大：1Mbps; 調制或協議：-; 應用：通用; 電流_接收：13mA; 數據接口：*; 存儲容量：-; 天線連接器：*; 特點：-; 電源電壓：-; 工作溫度：-; 封裝/外殼：*; 供應商設備封裝：*; 包裝：*

SI4362BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：29A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 19.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：115nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 15V; 功率_最大：6.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4362BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：29A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 19.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：115nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 15V; 功率_最大：6.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4368DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8340pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4368DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8340pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4368DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8340pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

VI-B3T-IX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 75W
SI4340CDY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC
VI-B6J-EY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
SG-8003CA-SEM
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC CMOS PROG 1.8V ST SMD
VJ0805D152KXXAJ
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 1500PF 25V 10% NP0 0805
VJ1210Y222KXGAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 2200PF 1KV 10% X7R 1210
VI-JWZ-MX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
VI-2WD-IX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W
SG-8003CE-PEM
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC CMOS PROG 1.8V OE SMD
VI-B3T-IX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 75W
VJ0805D152KXXAJ
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 1500PF 25V 10% NP0 0805
VJ1210Y223JBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.022UF 630V 5% X7R 1210
VI-2WD-IY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 50W
VI-JWZ-MY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W
SI4378DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

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