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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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SI436 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
按地區(qū):全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

SI4362-B0B-FM詳細(xì)規(guī)格

類別:RF 接收器
描述:RECEIVER RF EZRADIO PRO 20QFN
系列:EZRadioPRO®
制造商:Silicon Laboratories Inc
頻率:142MHz ~ 1.05GHz
靈敏度:-124dBm
數(shù)據(jù)傳輸率_最大:1Mbps
調(diào)制或協(xié)議:-
應(yīng)用:通用
電流_接收:13mA
數(shù)據(jù)接口:*
存儲(chǔ)容量:-
天線連接器:*
特點(diǎn):-
電源電壓:-
工作溫度:-
封裝/外殼:*
供應(yīng)商設(shè)備封裝:*
包裝:*

SI4362BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:29A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.6 毫歐 @ 19.8A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:115nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4800pF @ 15V
功率_最大:6.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

SI4362BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:29A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.6 毫歐 @ 19.8A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:115nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4800pF @ 15V
功率_最大:6.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

SI4368DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:17A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫歐 @ 25A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:8340pF @ 15V
功率_最大:1.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:剪切帶 (CT)

SI4368DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:17A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫歐 @ 25A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:8340pF @ 15V
功率_最大:1.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:Digi-Reel®

SI4368DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:17A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫歐 @ 25A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:8340pF @ 15V
功率_最大:1.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

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