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SI4336DY 全國供應商、價格、PDF資料

SI4336DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.25 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5600pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4336DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.25 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5600pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4336DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.25 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5600pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

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MS27656T15B18S
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MS3102A28-9P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 12POS BOX MNT W/PINS
MS27484T16F99P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 23POS STRAIGHT W/PINS
SFR2500001780FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 178 OHM METAL FILM .40W 1%
SQCB9M151JATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 150PF 300V 5% 1111
SP1008R-471K
固定式 API Delevan Inc 非標準 INDUCTOR PWR SHIELDED .470UH SMD

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