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SI4330-B1-FM詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 接收器; 描述：IC RCVR ISM 960MHZ 3.6V 20-QFN; 系列：-; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 頻率：240MHz ~ 960MHz; 靈敏度：-121dBm; 數(shù)據(jù)傳輸率_最大：256 kbps; 調(diào)制或協(xié)議：FSK，GFSK，OOK; 應(yīng)用：遙控，RKE，安全系統(tǒng); 電流_接收：18.5mA; 數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝; 存儲容量：-; 天線連接器：PCB，表面貼裝; 特點：配有 RSSI; 電源電壓：1.8 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：20-VFQFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：20-QFN（4x4）; 包裝：管件

SI4330-B1-FMR詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 接收器; 描述：IC RX ISM 240-960MHZ 20VQFN; 系列：-; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 頻率：240MHz ~ 960MHz; 靈敏度：-121dBm; 數(shù)據(jù)傳輸率_最大：256 kbps; 調(diào)制或協(xié)議：FSK，GFSK，OOK; 應(yīng)用：遙控，RKE，安全系統(tǒng); 電流_接收：18.5mA; 數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝; 存儲容量：-; 天線連接器：PCB，表面貼裝; 特點：配有 RSSI; 電源電壓：1.8 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：20-VFQFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：20-QFN（4x4）; 包裝：帶卷 (TR)

SI4330DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 8.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4330DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 8.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4330DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 8.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4330DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 8.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

VI-JWZ-MW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
VI-B3T-IU
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 200W
VI-B6J-EY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
SG-8003CA-PDB
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC CMOS PROG 2.5V OE SMD
SI4322DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
VJ1210Y222JXPAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 2200PF 250V 5% X7R 1210
VJ0805D121KXPAJ
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 120PF 250V 10% NP0 0805
VI-2WD-IX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W
VI-JWZ-MX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
VI-B6J-EY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
SG-8003CA-SCB
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC CMOS PROG 3.3V ST SMD
VJ1210Y222KBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 2200PF 1.5KV X7R 1210
VJ0805D152KXXAJ
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 1500PF 25V 10% NP0 0805
VI-JWZ-MX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
VI-2WD-IX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W

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