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SI4324DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3510pF @ 15V
- 功率_最大：7.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4324DY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3510pF @ 15V
- 功率_最大：7.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 1.07K OHM 0.5% AXIAL
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR LO PROFILE 1.2UH 1.71A
- 固定式 Signal Transformer 非標準 INDUCTOR SMD 39UH 0.66A 1KHZ
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
- 接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc - IC ENH FCC+ LINE-SIDE 16SOIC
- 模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 雙 CONN MAGJACK 1PT 10BT Y/G SHLD
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS SKT 3"
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 2.74K OHM 1/8W 0.5% 1206
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR LO PROFILE 2.2UH 1.32A
- 固定式 Signal Transformer 非標準 INDUCTOR SMD 120UH 0.47A 1KHZ
- 過時/停產零件編號 Silicon Laboratories Inc DAUGHTERCARD W/SI3201 INTERFACE
- 模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 雙 CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX SHLD
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS SKT 12" YEL
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR LO PROFILE 4.7UH 0.87A
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
13510131896 
0755-23919407 
