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SI3590DV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.7A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI3590DV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.7A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI3590DV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.7A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3590DV-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SM6227FT953R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引線 RES 953 OHM 3W 1% WW 6227
MNR14E0ABJ124
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 120K OHM 4 RES 1206
RTS-1212-R
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模塊（5 引線） CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT
SI3586DV-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
SR211C563KAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.056UF 100V 10% RADIAL
RW1S0BAR075JE
芯片電阻 - 表面安裝 Ohmite 2512 J 形引線 RES POWER .075 OHM 1W 5% SMT
SST39LF402C-55-4C-B3KE-T
存儲(chǔ)器 Microchip Technology 48-TFBGA IC FLASH MPF 4MB 55NS 48TFBGA
MNR14E0ABJ134
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 130K OHM 4 RES 1206
SM6227FT97R6
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引線 RES 97.6 OHM 3W 1% WW 6227
RT1206FRE072K37L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 2.37K OHM 1/4W 1% SMD 1206
RW1S0BAR150JE
芯片電阻 - 表面安裝 Ohmite 2512 J 形引線 RES POWER .150 OHM 1W 5% SMT
SR211C563KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.056UF 100V 10% RADIAL
SI3812DV-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
RTS-1215/P-R
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模塊（5 引線） CONV DC/DC 2W 12VIN 15VOUT
SM6227FTR107
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引線 RES 0.107 OHM 3W 1% WW 6227

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SM6227FT953R

MNR14E0ABJ124

RTS-1212-R

SI3586DV-T1-GE3

SR211C563KAA

RW1S0BAR075JE

SST39LF402C-55-4C-B3KE-T

MNR14E0ABJ134

SM6227FT97R6

RT1206FRE072K37L

RW1S0BAR150JE

SR211C563KAR

SI3812DV-T1-GE3

RTS-1215/P-R

SM6227FTR107

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