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SI3469DV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI3469DV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3469DV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI3469DV-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI3469DV-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI3469DV-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SMCJ60C-E3/57T
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS BIDIRECT 1.5KW 60V 10% SMC
SMBJP6KE30CA-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB TVS 600W 30V BIDIRECT SMBJ
SFSA4096Q1BR4TO-I-MS-226-STD
固態硬盤驅動器 Swissbit NA Inc 徑向，Can - QC 端子 FLASH SLC UDMA/MDMA/PIO 4GB
SI3469DV-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP
SMCJ15A
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 15V 1500W UNI 5% SMC
SFH2400FA-Z
光學 - 光電檢測器 - 光電二極管 OSRAM Opto Semiconductors Inc 3-SMD，鷗翼型 PHOTO DIODE 900NM SMT LEAD FREE/
RSS8-2424/P
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模塊 CONV DC/DC 1W 24VIN 24VOUT
MMBT5551LT1G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS SS NPN 160V HV SOT23
SMCJ64A
TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AB，SMC DIODE TVS 64V 1500W UNI 5% SMD
SFSA4096U1BR4TO-I-MS-216-STD
固態硬盤驅動器 Swissbit NA Inc 徑向，Can - QC 端子 FLASH X-200M SLC MSATA 4GB
SFH250V
光纖 - 發射器 - 離散式 Infineon Technologies HOUSING CONNECTOR DIODE PLASTIC
SMCJ15A/7T
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1500W 15V UNI-DIR SMC
RSS8-2424-R
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模塊 CONV DC/DC 1W 24VIN 24VOUT
MMBT5770
RF 晶體管 (BJT) Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR RF NPN SOT-23
SMBJP6KE33CA-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB TVS 600W 33V BIDIRECT SMBJ