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SI3460DV-T1 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SI3460DV-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.1A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 5.1A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應商設備封裝：6-TSOP
包裝：帶卷 (TR)

SI3460DV-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.1A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 5.1A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應商設備封裝：6-TSOP
包裝：帶卷 (TR)

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