SI3430DV-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 2.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
- 供應商設備封裝：6-TSOP
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI3430DV-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 2.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
- 供應商設備封裝：6-TSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
SI3430DV-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 2.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
- 供應商設備封裝：6-TSOP
- 包裝：Digi-Reel®
SI3430DV-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 6-TSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 2.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
- 供應商設備封裝：6-TSOP
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI3430DV-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 6-TSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 2.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
- 供應商設備封裝：6-TSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
SI3430DV-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 6-TSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 2.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
- 供應商設備封裝：6-TSOP
- 包裝：Digi-Reel®
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 348K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 28.0K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
- 固定式 API Delevan Inc 非標準 INDUCTOR PWR SHIELDED 1000UH SMD
- 氣體放電管 (GDT) Littelfuse Inc 1812（4532 公制） SURGE ARRESTER GDT 300V 1KA SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 TT Electronics/IRC 寬 2512（6432 公制），1225 RES 500 OHM 3W 1% 2512 WIDE
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） IC INVERTER HEX 1-INPUT 14SOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 590 OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 374K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 固定式 API Delevan Inc 非標準 INDUCTOR PWR SHIELDED 15UH SMD
- 陣列，信號變壓器 Signal Transformer 6-SIP INDUCTOR 150/602.87UH 0.44/0.22A
- 扎帶 Panduit Corp 1812（4532 公制） CABLE TIE STANDARD NAT 12.4"
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC HEX INVERTER 14-TSSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 59.0 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 390K OHM 1/4W .5% SMD 1206
0755-83200050 
0755-23919407 
