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SI3430DV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 2.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI3430DV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 2.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3430DV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 2.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

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SI3430DV-T1-E3 輝華拓展 0755-82795565
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SI3430DV-T1-E3 深圳市芯福林電子科技有限公司 13786598841微信
SI3430DV-T1-E3 深圳市維基鴻電子有限公司 19520735817/1
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SI3430DV-T1-E3 艾睿（深圳）半導體有限公司 15813737183
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SI3430DV-T1-E3 全國供應商、價格、PDF資料

SI3430DV-T1-E3詳細規格

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