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SI2331DS 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SI2331DS-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 12V SOT23-3
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.2A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫歐 @ 3.6A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 6V
功率_最大：710mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：帶卷 (TR)

SI2331DS-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 12V SOT23-3
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.2A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫歐 @ 3.6A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 6V
功率_最大：710mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：帶卷 (TR)

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