樱花动漫在线观看动漫第8集,国产精品国产三级国产a,无尺码精品产品网站

SI2327DS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：380mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.35 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2327DS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：380mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.35 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2327DS-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：380mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.35 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2327DS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 200V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：380mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.35 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2327DS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 200V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：380mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.35 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2327DS-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 200V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：380mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.35 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SDS100-PRW2-M37-SN00-1
D-Sub Sullins Connector Solutions 非標準 CONN D-SUB PLUG 37POS SLD CUP
SN74LVC1G07DBVT
邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC BUFF/DVR NON-INVERT SOT23-5
SQCB7M100KA11A
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 10PF 500V 10% 1111
SI2325DS-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH D-S 150V SOT-23
SN75LVDS391DG4
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC QUAD HI-SP DRVR LVDS 16-SOIC
MS27497E22A21P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 21POS WALL MNT W/PINS
SN74LVC1G07DCKR
邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC BUFF/DVR NON-INVERT SC705
SPP-4H100
保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 熔絲連接環 FUSE MOD 100A 700V BLADE
SDS101-PRP2-F15-SN83-6
D-Sub Sullins Connector Solutions 非標準 CONN D-SUB RCPT 15POS T/H GOLD
SN74LVC1G07DCKT
邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC BUFF/DVR NON-INVERT SC70-5
SPP-4H80
保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 熔絲連接環 FUSE MOD 80A 700V BLADE
SN75LVDS391DRG4
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC QUAD HI-SP DRVR LVDS 16-SOIC
SQCB7M101FAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 100PF 500V 1% 1111
SDS101-PRU2-F37-SN83-6
D-Sub Sullins Connector Solutions 非標準 CONN D-SUB RCPT 37POS T/H GOLD
MS27497E22A35S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 100POS WALL MNT W/SCKT