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SI2304BDS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2304BDS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2304BDS-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2304BDS-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2304BDS-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2304BDS-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SPP15P10P
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB
SN74LVC1G04DRYR
邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 6-UFDFN IC SINGLE INVERTER GATE 6-SON
SDR7045-151K
固定式 Bourns Inc. 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR 150UH 620MA SMD
SN75LVCP412ARTJT
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 20-WFQFN 裸露焊盤 IC REDRIVER 2CH SATA 3GBS 20QFN
SI2304BDS-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
MS27497E20B2P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 65POS WALL MNT W/PINS
SQCB7A4R7BATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 4.7PF 500V 1111
SN74LVC1G04DSF2
邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 6-XFDFN IC INVERTER GATE SGL 6SON
SPP15P10PL H
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
SN75LVCP422DBR
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC REPEATER 2CH SATA 3GBS 20SSOP
MS27497E20B2S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 65POS WALL MNT W/SCKT
SQCB7A4R7CATME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 4.7PF 500V 1111
SPP20N65C3
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
SN74LVC1G04YEAR
邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 5-XFBGA，WLCSP IC SINGLE INVERTER GATE 5-DSBGA
SDR-D
標(biāo)記 3M 非標(biāo)準(zhǔn) SCOTCH CODE REFILL D

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