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SI2303BDS-T1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V SOT23; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.49A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 15V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2303BDS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.49A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 15V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2303BDS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.49A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 15V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2303BDS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.49A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 15V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2303BDS-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.49A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 15V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2303CDS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：155pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

VI-B0J-IX-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
VI-BN4-IY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
SI2303BDS-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
VI-B1L-EX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W
SI7960DP-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
VI-B51-EW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
VI-B3Y-CX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
SL-124-T-12
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盤 CONN RCPT .100" 24POS GOLD PCB
VI-B0J-IY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VI-B1L-EY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 50W
VI-B51-EW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
VI-B3Y-CX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
SI7980DP-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH DL 20V PWRPAK 8-SOIC
SL-125-G-12
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盤 CONN RCPT .100" 25POS GOLD PCB
VI-B0J-MX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W

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