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SI1913EDH-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：880mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：490 毫歐 @ 880mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：570mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SC-70-6; 包裝：帶卷 (TR)

SI1913EDH-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：880mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：490 毫歐 @ 880mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：570mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SC-70-6; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1913EDH-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：880mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：490 毫歐 @ 880mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：570mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SC-70-6; 包裝：Digi-Reel®

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