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SI1902DL-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：385 毫歐 @ 660ma，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.2nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：270mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SC-70-6; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1902DL-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：385 毫歐 @ 660ma，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.2nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：270mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SC-70-6; 包裝：Digi-Reel®

SI1902DL-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：385 毫歐 @ 660ma，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.2nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：270mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SC-70-6; 包裝：帶卷 (TR)

SI1902DL-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：385 毫歐 @ 660ma，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.2nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：270mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SC-70-6; 包裝：帶卷 (TR)

SI1902DL-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：385 毫歐 @ 660ma，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.2nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：270mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SC-70-6; 包裝：Digi-Reel®

SI1902DL-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：385 毫歐 @ 660ma，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.2nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：270mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SC-70-6; 包裝：剪切帶 (CT)

SK100M050ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 10UF 50V 20% RADIAL
SR155C182JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1800PF 50V 5% RADIAL
SR201A471FAATR2-
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 470PF 100V 1% RADIAL
SFA66S3H288B-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - QC 端子 CAP FILM 3UF 660VAC QC TERM
SR105-T
單二極管/整流器 Diodes Inc DO-204AL，DO-41，軸向 DIODE SCHOTTKY 50V 1.0A DO-41
RT1206CRE0754K9L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 54.9K OHM 1/4W .25% SMD 1206
SRR1260-101M
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 100UH 1.7A SMD
SR201A471GAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 470PF 100V 2% RADIAL
SK101M200ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 100UF 200V 20% RADIAL
SFA66S3H288B-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - QC 端子 CAP FILM 3UF 660VAC QC TERM
SR108-TP
單二極管/整流器 Micro Commercial Co DO-204AL，DO-41，軸向 DIODE SCHOTTKY 1A 80V DO41
SR201A471JAATR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
RT1206CRE07562RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 562 OHM 1/4W .25% SMD 1206
SRR1260-120M
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 12UH 5.2A SMD
SK102M050ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 1000UF 50V 20% RADIAL

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