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SI1330EDL-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：240mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 歐姆 @ 250mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：280mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SI1330EDL-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：240mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 歐姆 @ 250mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：280mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3; 包裝：帶卷 (TR)

SI1330EDL-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：240mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 歐姆 @ 250mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：280mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3; 包裝：Digi-Reel®

SI1330EDL-T1-GE3供應商

SI1330EDL-T1-GE3 北京元坤國際科技有限公司 010-62104931、
Si1330EDL-T1-GE3 深圳市哲瀚電子科技有限公司 0755-83259945
SI1330EDL-T1-GE3 深圳思諾康科技有限公司 0755-8327282
SI1330EDL-T1-GE3 深圳市科雨電子有限公司 171-4729-9698
SI1330EDL-T1-GE3 深圳市春東電子有限公司 0755-82563615
Si1330EDL-T1-GE3 深圳市金億泰電子有限公司 755-83252273
SI1330EDL-T1-GE3 上海熠富電子科技有限公司 15026993318 /
SI1330EDL-T1-GE3 深圳市科恒偉業電子有限公司 0755-83200050
SI1330EDL-T1-GE3 深圳市諾洋電子科技有限公司 0755-83223003
SI1330EDL-T1-GE3 深圳和潤天下電子科技有限公司 0755-83798683
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SI1330EDL-T1-GE3 上海熠富電子科技有限公司 15821228847 /
SI1330EDL-T1-GE3 北京元坤國際科技有限公司 010-62104931、
SI1330EDL-T1-GE3 深圳市芯澤盛世科技有限公司 0755-89697985
Si1330EDL-T1-GE3 深圳市毅創騰電子科技有限公司 755-83210909
Si1330EDL-T1-GE3 深圳市晶美隆科技有限公司 0755-82865294

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SI1330EDL-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

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