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SI1025X-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SI1025X-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 P 溝道（雙）
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：190mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 15V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：23pF @ 25V
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝：SC-89-6
包裝：剪切帶 (CT)

SI1025X-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 P 溝道（雙）
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：190mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 15V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：23pF @ 25V
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝：SC-89-6
包裝：帶卷 (TR)

SI1025X-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 P 溝道（雙）
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：190mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 15V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：23pF @ 25V
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝：SC-89-6
包裝：Digi-Reel®

SI1025X-T1-GE3供應商

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