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SI1023X-T1 全國供應商、價格、PDF資料
SI1023X-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：370mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
- 供應商設備封裝：SC-89-6
- 包裝：Digi-Reel®
SI1023X-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：370mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
- 供應商設備封裝：SC-89-6
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI1023X-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：370mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
- 供應商設備封裝：SC-89-6
- 包裝：帶卷 (TR)
SI1023X-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：370mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
- 供應商設備封裝：SC-89-6
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI1023X-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：370mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
- 供應商設備封裝：SC-89-6
- 包裝：帶卷 (TR)
SI1023X-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：370mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 350mA，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
- 供應商設備封裝：SC-89-6
- 包裝：Digi-Reel®
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-221AC，SMA 扁平引線 TVS DIODE 8.5V 1CH UNI DO-221AC
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix SC-75A MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
- DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 15VIN +/-15VOUT
- 單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD-123
- 矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 35POS SNGL GOLD
- 陣列，信號變壓器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 1000UH SMD
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 75V 3.6A 8-SOIC
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TRANSIL 600W 10V BIDIRECT SMA
- DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 15VIN 24VOUT
- 單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD-123
- 陣列，信號變壓器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 15UH SMD
- 矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 70POS DUAL GOLD
- 模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONN MAGJACK SHLD 10/100/1000BT
- TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA TVS DIODE 600W 13V 1CH BI SMA
010-62104931、 
