SDR6603-6R8M 全國供應商、價格、PDF資料
SDR6603-6R8M詳細規格
- 類別：固定式
- 描述：INDUCTOR POWER 6.8UH 1.4A SMD
- 系列：SDR6603
- 制造商：Bourns Inc.
- 類型：鐵氧體芯體
- 電感：6.8µH
- 電流：
- 額定電流：1.4A
- 電流_飽和值：1.2A
- 容差：±20%
- 材料_磁芯：鐵氧體
- 屏蔽：無屏蔽
- DC電阻333DCR444：最大 130 毫歐
- 不同頻率時的Q值：15.5 @ 7.96MHz
- 頻率_自諧振：45MHz
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C
- 封裝/外殼：非標準
- 大小/尺寸：0.260" L x 0.175" W x 0.115" H（6.60mm x 4.45mm x 2.92mm）
- 安裝類型：表面貼裝
- 包裝：帶卷 (TR)
SDR6603-6R8M詳細規格
- 類別：固定式
- 描述：INDUCTOR POWER 6.8UH 1.4A SMD
- 系列：SDR6603
- 制造商：Bourns Inc.
- 類型：鐵氧體芯體
- 電感：6.8µH
- 電流：
- 額定電流：1.4A
- 電流_飽和值：1.2A
- 容差：±20%
- 材料_磁芯：鐵氧體
- 屏蔽：無屏蔽
- DC電阻333DCR444：最大 130 毫歐
- 不同頻率時的Q值：15.5 @ 7.96MHz
- 頻率_自諧振：45MHz
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C
- 封裝/外殼：非標準
- 大小/尺寸：0.260" L x 0.175" W x 0.115" H（6.60mm x 4.45mm x 2.92mm）
- 安裝類型：表面貼裝
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 11POS WALL MNT W/SCKT
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 5-XFBGA，WLCSP IC POS-NAND GATE 2IN 5-DSBGA
- 固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 1.0UH 2.9A SMD
- 接口 - 驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC LOW RS-232 DRVR/REC 20-SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
- 陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 36PF 500V 2% 1111
- 連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 28POS WALL MNT W/PINS
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220
- 接口 - 驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC LOW RS-232 DRIVER/REC 20TSSOP
- FET - 單 Micro Commercial Co TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC GATE NOR 2-INP SOT23-5
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
- 陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 39PF 500V 2% 1111
- 連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 28POS WALL MNT W/PINS
0755-88291559 
0755-23914006 
