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» 型號(hào)"RT0805DRD0769R8L"的供應(yīng)信息
RT0805DRD0769R8L 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
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RT0805DRD0769R8L詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別：芯片電阻 - 表面安裝
描述：RES 69.8 OHM 1/8W .5% SMD 0805
系列：RT
制造商：Yageo
電阻333Ω444：69.8
功率333W444：0.125W，1/8W
成分：薄膜
特性：-
溫度系數(shù)：±25ppm/°C
容差：±0.5%
封裝/外殼：0805（2012 公制）
供應(yīng)商器件封裝：0805
大小/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）
高度：0.024"（0.60mm）
端子數(shù)：2
包裝：帶卷 (TR)
RT0805DRD0769R8L供應(yīng)商
RT0805DRD0769R8L
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
RT0805DRD0769R8L-ND
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844（微
查看更多RT0805DRD0769R8L的供應(yīng)商
SR072A220JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL
RT0805DRD0769K8L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 69.8K OHM 1/8W .5% SMD 0805
SDS001R
快動(dòng)，限位，拉桿 C&K Components 非標(biāo)準(zhǔn) SWITCH DETECT PB SPST-NO RT ANG
SQCAEM5R6CAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 5.6PF 150V 0605
RT0603FRE0738R3L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 38.3 OHM 1/10W 1% SMD 0603
SFH 4259-Z
紅外發(fā)射器，UV 發(fā)射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 4-LCC（J 形引線(xiàn)） EMITTER IR 850NM TOPLED W/LENS
SPB04N60S5
FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
SR072A220JARTR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL
SN74S37DG4
邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC GATE NAND QUAD 2-INPUT 14SOIC
RT0603FRE0739R2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 39.2 OHM 1/10W 1% SMD 0603
SQCAEM5R6CAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 5.6PF 150V 0605
SR072A270JAATR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 27PF 200V 5% RADIAL
SPB08P06P
FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
SFH 4341
紅外發(fā)射器，UV 發(fā)射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 徑向 EMITTER IR 940NM 3MM
SN74S37NSR
邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） IC QUAD 2-IN POS-NAND BUFF 14SOP
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