

RSS090N03FU6TB詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOP
- 包裝:Digi-Reel®
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- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOP
- 包裝:剪切帶 (CT)
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- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOP
- 包裝:帶卷 (TR)
RSS090P03FU6TB詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOP
- 包裝:帶卷 (TR)
RSS090P03TB詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOP
- 包裝:剪切帶 (CT)
RSS090P03TB詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOP
- 包裝:帶卷 (TR)
- 單二極管/整流器 Diodes Inc DO-214AB,SMC DIODE GPP 5A 50V SMD
- 線路濾波器 TDK-Lambda Americas Inc DO-214AB,SMC EMI FILTER 250VAC 30A SCREW TERM
- 撥動開關 NKK Switches DO-214AB,SMC SW TOGGLE DPDT 15A SOLDER LUG
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 483-BCBGA,FCCBGA IC MPU RISC 1267MHZ 483FCCBGA
- FET - 單 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) TERM BARRIER 15CIRC DUAL ROW
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805(2012 公制) RES 2.8K OHM 1/10W .5% 0805 SMD
- 單二極管/整流器 Diodes Inc DO-214AB,SMC RECTIFIER GPP SMD 100V 5A SMC
- 系列間適配器電纜 Tripp Lite DO-214AB,SMC CABLE SCSI VHDCI68M/HD68M 10’
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 483-BCBGA,FCCBGA IC MPU RISC 733MHZ 483FCCBGA
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805(2012 公制) RES 280K OHM 1/10W .1% 0805 SMD
- 晶體 EPSON 4-SOJ,5.08mm 間距 CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-214AB,SMC DIODE GPP 5A 100V SMC
- D形,Centronics Tripp Lite DO-214AB,SMC CABLE SCSI ULTRA 2 VHDCI68M/M10’
- TVS - 二極管 Rohm Semiconductor 2-SMD,扁平引線 DIODE ZENER BIDIR 500MW TUMD2