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RSQ020N03 全國供應商、價格、PDF資料

RSQ020N03TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：134 毫歐 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：110pF @ 10V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6; 供應商設備封裝：TSMT6; 包裝：剪切帶 (CT)

RSQ020N03TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：134 毫歐 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：110pF @ 10V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6; 供應商設備封裝：TSMT6; 包裝：帶卷 (TR)

RSQ020N03TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：134 毫歐 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：110pF @ 10V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6; 供應商設備封裝：TSMT6; 包裝：Digi-Reel®

查看更多RSQ020N03的供應商

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復制成功！

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