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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁 » 庫存索引1 » 型號"RP1E100XNTR"的供應(yīng)信息

RP1E100XNTR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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RP1E100XNTR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 10A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 10V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：MPT6
包裝：剪切帶 (CT)

RP1E100XNTR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 10A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 10V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：MPT6
包裝：帶卷 (TR)

RP1E100XNTR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 10A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 10V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：MPT6
包裝：Digi-Reel®

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