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RNCF1206DTE634R詳細規格: 類別：芯片電阻 - 表面安裝; 描述：RES 634 OHM 1/8W 0.5% 1206; 系列：RNCF; 制造商：Stackpole Electronics Inc; 電阻333Ω444：634; 功率333W444：0.125W，1/8W; 成分：薄膜; 特性：-; 溫度系數：±25ppm/°C; 容差：±0.5%; 封裝/外殼：1206（3216 公制）; 供應商器件封裝：1206; 大小/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）; 高度：0.026"（0.65mm）; 端子數：2; 包裝：帶卷 (TR)

RNF18FTC511R
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 511 OHM 1% AXIAL
MDM-51PH005F
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 30"
RNCF1206DTE619R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 619 OHM 1/8W 0.5% 1206
SI6925ADQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
SI3410DV-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 6-TSOP
SCC2692AE1A44,512
接口 - UART（通用異步接收器/發送器） NXP Semiconductors 44-LCC（J 形引線） IC DUART DUAL W/FIFO 44-PLCC
SD53-1R1-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCT SHIELDED 1.1UH 3.25A SMD
RNF18FTC5K62
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 5.62K OHM 1% AXIAL
SI4425BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
SI3424DV-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
SI6928DQ-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP
SCC2692AE1N28,602
接口 - UART（通用異步接收器/發送器） NXP Semiconductors 28-DIP（0.600"，15.24mm） IC DUART 28-DIP
RNF18FTC73R2
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/8W 73.2 OHM 1% AXIAL
SD53-220-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR SHIELDED 22.0UH SMD
SI4425BDY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC

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