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RJK0351DPA-00#J0詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A WPAK; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 10V; 功率_最大：45W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-WPAK; 包裝：剪切帶 (CT)

RJK0351DPA-00#J0詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A WPAK; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 10V; 功率_最大：45W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-WPAK; 包裝：帶卷 (TR)

RJK0351DPA-00#J0詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A WPAK; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 10V; 功率_最大：45W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-WPAK; 包裝：Digi-Reel®

RJK0351DPA-01#J0B詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 10V; 功率_最大：45W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-WPAK; 包裝：剪切帶 (CT)

RJK0351DPA-01#J0B詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 10V; 功率_最大：45W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-WPAK; 包裝：帶卷 (TR)

RJK0351DPA-01#J0B詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 10V; 功率_最大：45W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-WPAK; 包裝：Digi-Reel®

RNF14BAC8K45
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 8.45K OHM 1/4W .1% AXIAL
RG3216V-2322-D-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 1206（3216 公制） RES 23.2K OHM 1/4W .5% 1206
RGH2012-2E-P-222-B
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805（2012 公制） RES 2.2K OHM .1% 1/4W 0805 SMD
RJK0351DPA-00#J0
FET - 單 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 40A WPAK
RR0510P-8250-D
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0402（1005 公制） RES 825 OHM 1/16W 0.5% 0402 SMD
RPC0805JT1R20
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0805（2012 公制） RES PULSE 1.2 OHM 0.25W 5% 0805
RNF14BAC90R9
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 90.9 OHM 1/4W .1% AXIAL
RSD12-3.305/HP
DC DC Converters Recom Power 12-DIP SMD 模塊（10 引線） CONV DC/DC 1W 3.3VIN +/-05VOUT
RP13A-12PK-15SC(71)
圓形 - 外殼 Hirose Electric Co Ltd 12-DIP SMD 模塊（10 引線） CONN PLUG 15POS FEMALE CRIMP
RGH2012-2E-P-223-B
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805（2012 公制） RES 22K OHM .1% 1/4W 0805 SMD
RPC0805JT20R0
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0805（2012 公制） RES PULSE 20 OHM 0.25W 5% 0805
RR0510P-8252-D
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0402（1005 公制） RES 82.5K OHM 1/16W .5% 0402
RG3216V-2401-W-T1
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 1206（3216 公制） RES 2.4K OHM 1/4W .05% 1206
RNF14BAC9K53
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 9.53K OHM 1/4W .1% AXIAL
RP13A-12PO-20SC(71)
圓形 - 外殼 Hirose Electric Co Ltd 軸向 CONN PLUG 20POS FEMALE CRIMP