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RFD3055詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 12A IPAK; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：53W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

RFD3055LE詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：107 毫歐 @ 8A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：38W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

RFD3055LESM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：107 毫歐 @ 8A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：38W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252AA; 包裝：管件

RFD3055LESM9A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：107 毫歐 @ 8A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：38W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252AA; 包裝：帶卷 (TR)

RFD3055LESM9A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：107 毫歐 @ 8A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：38W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252AA; 包裝：剪切帶 (CT)

RFD3055LESM9A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：107 毫歐 @ 8A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：38W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252AA; 包裝：Digi-Reel®

RMCF1210FT182K
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1210（3225 公制） RES TF 1/3W 182K OHM 1% 1210
RG2012P-161-W-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805（2012 公制） RES 160 OHM 1/8W .05% 0805
RG2012P-822-C-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805（2012 公制） RES 8.2K OHM 1/8W .25% 0805
M8-MHWS
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） MOUNTING HARDWARE FOR M8 SENSOR
RG2012P-4023-C-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805（2012 公制） RES 402K OHM 1/8W .25% 0805
M83723/78R2457Y
連接器，互連器件 TE Connectivity 0805（2012 公制） CONN PLUG 57POS STRGHT W/PINS
M83723/73A2255N
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations 0805（2012 公制） CONN RCPT 55POS JAM NUT W/SCKT
RMCF1210FT18K7
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1210（3225 公制） RES TF 1/3W 18.7K OHM 1% 1210
RG2012P-823-W-T1
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805（2012 公制） RES 82K OHM 1/8W .05% 0805 SMD
RG2012P-1620-B-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805（2012 公制） RES 162 OHM 1/8W .1% 0805
RG2012P-4120-B-T1
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805（2012 公制） RES 412 OHM 1/8W .1% 0805
M83723/78R24616
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations 0805（2012 公制） CONN PLUG 61POS STRAIGHT W/PINS
M83723/73R14047-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity 0805（2012 公制） CONN HSG RCPT JAM NUT 4POS SKT
RMCF1210FT18R7
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1210（3225 公制） RES TF 1/3W 18.7 OHM 1% 1210
RG2012P-824-B-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805（2012 公制） RES 820K OHM 1/8W .1% 0805 SMD