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PZTA42,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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PZTA42,115詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN 300V 100MA SOT223
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 2mA，20mA
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 30mA，10V
功率_最大：1.2W
頻率_轉換：50MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝：SC-73
包裝：剪切帶 (CT)

PZTA42,115詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN 300V 100MA SOT223
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 2mA，20mA
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 30mA，10V
功率_最大：1.2W
頻率_轉換：50MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝：SC-73
包裝：帶卷 (TR)

PZTA42,115詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN 300V 100MA SOT223
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 2mA，20mA
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 30mA，10V
功率_最大：1.2W
頻率_轉換：50MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝：SC-73
包裝：帶卷 (TR)

PZTA42,115詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS NPN 300V 100MA SOT223
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 2mA，20mA
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 30mA，10V
功率_最大：1.2W
頻率_轉換：50MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝：SC-73
包裝：Digi-Reel®

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