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PZT2222A詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS AMP NPN GP 40V .5A SOT-223; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：1W; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223-3; 包裝：剪切帶 (CT)

PZT2222A詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS AMP NPN GP 40V .5A SOT-223; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：1W; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223-3; 包裝：Digi-Reel®

PZT2222A詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS AMP NPN GP 40V .5A SOT-223; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：1W; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223-3; 包裝：帶卷 (TR)

PZT2222A,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 40V 600MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：1.15W; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：Digi-Reel®

PZT2222A,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 40V 600MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：1.15W; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：剪切帶 (CT)

PZT2222A,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 40V 600MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：1.15W; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：帶卷 (TR)

RG1608N-223-W-T1
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0603（1608 公制） RES 22.0K OHM 1/10W .05% 0603SMD
RG1608N-621-W-T1
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0603（1608 公制） RES 620 OHM 1/10W .05% 0603 SMD
LSN5A-3P
配件 Honeywell Sensing and Control 0603（1608 公制） LEVER FOR ROTARY SWITCH
RG1608P-8660-D-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0603（1608 公制） RES 866 OHM 1/10W .5% 0603
PZM6.8NB2,115
單二極管/齊納 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 6.8V 300MW SOT346
RG1608P-362-D-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0603（1608 公制） RES 3.6K OHM 1/10W .5% 0603
RCL1218113KFKEK
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 寬 1812（4532 公制），1218 RES 113K OHM 1W 1% 1218 WIDE
Q2-Z-1/2-01-QX15FT
熱縮管 Qualtek 寬 1812（4532 公制），1218 HEATSHRINK POLY Q2Z 1/2"X15’ BLK
RG1608N-623-D-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0603（1608 公制） RES 62.0K OHM 1/10W .5% 0603
LSN7L3-3D
配件 Honeywell Sensing and Control TO-261-4，TO-261AA LEVER FOR ROTARY SWITCH
RG1608P-362-W-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0603（1608 公制） RES 3.6K OHM 1/10W .05% 0603
RCL1218118KFKEK
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 寬 1812（4532 公制），1218 RES 118K OHM 1W 1% 1218 WIDE
Q2-Z-1/8-01-MS100FT
熱縮管 Qualtek 寬 1812（4532 公制），1218 HEATSHRNK POLY Q2Z 1/8"X100’ BLK
RG1608P-8660-W-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0603（1608 公制） RES 866 OHM 1/10W .05% 0603
RG1608N-224-D-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0603（1608 公制） RES 220K OHM 1/10W .5% 0603

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PZT2222A詳細規格

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PZT2222A,115詳細規格

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PZT2222供應商

RG1608N-223-W-T1

RG1608N-621-W-T1

LSN5A-3P

RG1608P-8660-D-T5

PZM6.8NB2,115

RG1608P-362-D-T5

RCL1218113KFKEK

Q2-Z-1/2-01-QX15FT

RG1608N-623-D-T5

LSN7L3-3D

RG1608P-362-W-T5

RCL1218118KFKEK

Q2-Z-1/8-01-MS100FT

RG1608P-8660-W-T5

RG1608N-224-D-T5

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PZT2222A詳細規格

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PZT2222A,115詳細規格

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PZT2222供應商

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